一、納米干冰半導體清洗設(shè)備原理

以顆粒狀的干冰作為清洗介質(zhì),通過壓縮空氣將干冰微粒高速噴向清洗物表面,使清洗物表面的污垢冷凍至脆化并爆裂,干冰微粒通過撞擊作用滲透到污垢及基層材料之間,隨即升華,體積瞬時增大800倍,迫使污垢與基層材料脫離,達到清洗的目的。

二、納米干冰半導體清洗設(shè)備參數(shù)

型號 半導體清洗機WMGB01
外形尺寸 450×500×300
重量 20Kg
電源 220V 50Hz 單相
功率 2kW

CO2噴射系統(tǒng)

CO2 液態(tài)
CO2壓力 ≥5.5MPa
噴嘴規(guī)格 0.1mm~4mm
CO2消耗量 50~200g/min

CO2恒溫系統(tǒng)

介質(zhì) -
容量 -
溫度調(diào)節(jié)范圍 -
CO2增壓系統(tǒng)
驅(qū)動介質(zhì) -
驅(qū)動氣壓 -
增壓比 -
增壓量 -

CDA輔助系統(tǒng)

CDA氣體 壓縮空氣/氮氣
CDA壓力 0.1~0.8MPa
CDA溫度調(diào)節(jié) 選配