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4N60G 平偉貼片高壓MOSFET 4A600V

  • 發(fā)布時(shí)間:2025-02-11 10:00:51,加入時(shí)間:2024年10月17日(距今308天)
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  PY/重慶平偉實(shí)業(yè) 全新原廠原裝高頻高壓功率控制晶體開(kāi)關(guān)管貼片場(chǎng)效應(yīng)管 600V 4A 2.1Ω N-Channel  高壓MOSFET:4N60G;電壓Vds:600V;電流Id:4A;內(nèi)阻Rds(on):2100mΩ;封裝方式:TO-252-2L;最小包裝數(shù)量:2500pcs/盤-編帶。

   本品采用內(nèi)置大尺寸芯片,具有適應(yīng)高電壓低內(nèi)阻高頻高效恢復(fù)等電氣特性特點(diǎn)。通用于電源、電器、適配器、充電器、充電樁、工控、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)特種電源、高頻電源、風(fēng)光儲(chǔ)新能源、逆變器、伺服電機(jī)馬達(dá)等產(chǎn)品電路作控制、開(kāi)關(guān)、整流、放大、鉗位、防反接、防逆回流等作用。PY/平偉大芯片高電壓大電流低漏電的分立式功率整流開(kāi)關(guān)管4N60G。

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