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長鑫存儲技術(shù)有限公司申請一項名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的處理方法以及字線結(jié)構(gòu)的形成方法“，公開號CN117334633A，申請日期為2022年6月。
專利摘要顯示，本公開實施例公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的處理方法以及字線結(jié)構(gòu)的形成方法，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的處理方法，包括：提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括凹槽以及位于所述凹槽中的金屬層，所述金屬層的頂表面的邊緣位置高于所述金屬層的所述頂表面的中心位置；使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)；以及，對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少一次金屬表面平坦化處理，以使處理后的所述金屬層的所述頂表面比處理前的所述金屬層的所述頂表面更加平整；其中，所述至少一次金屬表面平坦化處理中的每次金屬表面平坦化處理包括：采用第一試劑對所述金屬層的所述頂表面進(jìn)行刻蝕；以及，采用第二試劑對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行清洗。