半導(dǎo)體硅片二氧化硅晶圓細(xì)孔加工盲孔定制

隨著硅半導(dǎo)體集成電路的廣泛應(yīng)用，硅半導(dǎo)體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進(jìn)行切割，在晶圓上劃分出若干個(gè)圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體。或者采用的是非均勻圓環(huán)、同一圓心角內(nèi)進(jìn)行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來(lái)的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。

因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個(gè)方向的位置、精度高、全自動(dòng)運(yùn)行，對(duì)晶圓切割的位置進(jìn)行準(zhǔn)確定位，切割出來(lái)的晶圓芯片均勻、美觀(guān)，能切割多種材料，適應(yīng)性強(qiáng)，可以避免薄晶圓因切割破裂。

硅片加工的具體加工內(nèi)容

承接0.05mm-2mm各種激光切割、開(kāi)孔鉆孔、劃線(xiàn)、開(kāi)槽、異形切割、盲孔盲槽定制。

應(yīng)用及市場(chǎng)

太陽(yáng)能行業(yè)單晶硅、多晶硅、非晶硅帶太陽(yáng)能電池片和硅片的劃片（切割、異形加工，微小孔，打孔加工）。

半導(dǎo)體晶圓片切割的非晶硅單晶硅多晶硅,半導(dǎo)體晶圓片切割，氮化鎵,銅銦鎵硒，碲化鎘,等多種基材的精細(xì)切割鉆孔，蝕刻，微結(jié)構(gòu),打標(biāo)和改片切圓異形皆可,厚度-般不超過(guò)半導(dǎo)體晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過(guò)研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國(guó)內(nèi)晶圓生產(chǎn)線(xiàn)以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式承接0.05mm-2mm各種激光切割、開(kāi)孔鉆孔、劃線(xiàn)、開(kāi)槽、刻圖形字體，各種透光材質(zhì)都可做，價(jià)格優(yōu)惠打孔厚度0.1mm-40mm最小孔徑0.05mm*大孔徑90mm尺寸公差 ≥±0.02mm。

梁工