氮化鋁優(yōu)良絕緣,高頻損耗小,耐熱,熱膨脹系數(shù)小,機械強度大,熱傳導(dǎo)好,耐化學(xué)腐蝕,穩(wěn)定,熱導(dǎo)率高,光傳輸特性好,電性能優(yōu)良,機械性能好,尺寸大小及厚度可根據(jù)顧客要求定制。公司已經(jīng)擁有一整套從日本、美國等國進(jìn)口的、配備完善的電子陶瓷生產(chǎn)設(shè)備和檢測儀器,是一家規(guī)模化、采用流延法生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基板的企業(yè),主導(dǎo)產(chǎn)品是氮化鋁陶瓷基板及其相關(guān)電子元器件。與國外同行企業(yè)相比較,在氮化鋁陶瓷基板流延漿料配制、低溫?zé)Y(jié)等方面,公司自有的氮化鋁陶瓷流延法生產(chǎn)技術(shù)與工藝,所生產(chǎn)的氮化鋁陶瓷基板具有高的熱導(dǎo)率、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、優(yōu)良的力學(xué)性能,可廣泛應(yīng)用于電子信息、電力電子等高技術(shù)領(lǐng)域。開發(fā)了一種將氮化鋁 (AlN) 直接晶圓鍵合到鍍有 AlN 的晶圓的方法。晶圓直接鍵合需要光滑、平坦、親水的表面,這些表面能夠被適當(dāng)帶電的氫分子表面處理。華清可以提供非常光滑(Ra≤0.03um)和平坦表面的AlN襯底。我們的氮化鋁基板 (AlN) 有各種尺寸和厚度可供選擇。活性金屬釬焊(AMB)工藝是直接鍵合銅(DBC)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。它是利用釬料中所含的少量活性元素與陶瓷反應(yīng)生成可被液體釬料潤濕的反應(yīng)層,從而將陶瓷與金屬連接起來的一種方法。目前,隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,高鐵大功率器件控制模塊對IGBT模塊封裝的關(guān)鍵材料——陶瓷覆銅板形成了巨大的需求,尤其是AMB基板逐漸成為主流應(yīng)用。得益于大量的實時庫存,我們可以快速運送您的零件,以便您開始您的項目。請聯(lián)系我們定制。我們還可以提供導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá) 230W/mK 的氮化鋁 (AlN) 陶瓷。