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維安WMQ55P02T1 20V P通道功率MOS

  • 發(fā)布時(shí)間：2025-06-26 15:01:53,加入時(shí)間:2025年06月13日(距今24天)
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維安 20V P-通道增強(qiáng)模式功率MOS


描述

維安WMQ55P02T1 采用了先進(jìn)的功率溝槽技術(shù)，該技術(shù)經(jīng)過特別優(yōu)化，旨在最小化導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。

特性

Vos=-20V, lD=-55A

Ros（on）< 8.2 @ VGS = -4.5V

Ros（on）<10mΩ @ VGS = -2.5V

綠色設(shè)備可用

RoHS 合規(guī)且不含鹵素

高級(jí)高細(xì)胞密度溝槽技術(shù)

100% EAS 保證

應(yīng)用

電源管理開關(guān)

DC/DC 轉(zhuǎn)換器

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