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磷化銦INP材料拋光液半導體材料拋光液

  • 發(fā)布時間:2025-06-25 10:14:59,加入時間:2024年10月18日(距今262天)
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磷化銦(InP)材料因其高電子遷移率、直接帶隙特性及良好的光電性能,在光通信、高頻器件等領域具有重要應用。其拋光液作為化學機械拋光(CMP)工藝的核心耗材,需滿足材料特性與工藝需求的雙重挑戰(zhàn)。

一、磷化銦材料特性對拋光液的技術要求

軟脆性與易損傷性
InP莫氏硬度僅為3,質(zhì)地軟脆,傳統(tǒng)機械拋光易導致表面劃痕或破碎。拋光液需通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用,在低壓力下實現(xiàn)高效材料去除。例如,采用氧化劑(如H₂O₂)在表面形成軟質(zhì)氧化層,再通過納米級磨料(如SiO₂或Al₂O₃)的機械作用去除,避免直接硬接觸。

化學穩(wěn)定性與腐蝕控制
InP易與酸性或堿性拋光液反應,導致表面“桔皮”現(xiàn)象或過度腐蝕。拋光液需精確調(diào)控pH值(通常為中性或弱堿性),并添加緩蝕劑(如有機堿)以抑制副反應。例如,H₃PO₄-H₂O₂-SiO₂體系需優(yōu)化H₂O₂濃度以平衡氧化速率與腐蝕風險。

表面粗糙度與晶格完整性
光電器件要求表面粗糙度低于0.5 nm,且無亞表面損傷。拋光液需通過磨料粒徑分布(如D50=70-90 nm)與分散劑協(xié)同作用,實現(xiàn)均勻去除。例如,聚丙烯酸類分散劑可防止磨料團聚,提升表面一致性。

產(chǎn)品名稱:磷化銦拋光液

產(chǎn)品型號:KND-LP30

產(chǎn)品濃度:≥30%

磷化銦INP材料拋光液半導體材料拋光液

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