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PL60N02D 20VN通道增強模式MOSFET

  • 發(fā)布時間：2025-04-21 16:27:30,加入時間:2023年08月01日(距今751天)
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一般說明
PL60N02D采用先進的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設(shè)備適用于用作電池保護或其他開關(guān)應(yīng)用程序。

一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

應(yīng)用
蓄電池保護
負(fù)荷開關(guān)

不間斷電源

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