光刻蝕刻超純水設(shè)備 旭能環(huán)保設(shè)備
超高純度：水中的雜質(zhì)離子、有機物、微生物等會影響光刻膠的性能、光刻圖案的精度以及蝕刻效果，因此要求超純水的電阻率通常需達(dá)到 18.2MΩ・cm 以上，幾乎不含任何雜質(zhì)離子，總有機碳（TOC）含量要低于 10ppb 甚至更低，微生物含量每毫升不超過 1CFU。
極低顆粒度：在光刻蝕刻過程中，微小顆�？赡軙䦟�(dǎo)致光刻圖案失真、短路或開路等問題，降低芯片的良品率。所以超純水必須嚴(yán)格控制顆粒數(shù)量，一般要求每升水中大于 0.1μm 的顆粒數(shù)不超過 100 個，甚至更少。
穩(wěn)定的水質(zhì)：光刻蝕刻工藝對水質(zhì)的穩(wěn)定性要求極高，水質(zhì)的波動可能會導(dǎo)致工藝參數(shù)的變化，影響產(chǎn)品質(zhì)量的一致性。超純水設(shè)備需要具備穩(wěn)定的運行性能，確保在連續(xù)生產(chǎn)過程中水質(zhì)始終保持在規(guī)定的范圍內(nèi)。
高流量和壓力：旭能為了滿足光刻蝕刻生產(chǎn)線的連續(xù)用水需求，超純水設(shè)備需要具備足夠的產(chǎn)水能力，能夠提供穩(wěn)定的高流量和適當(dāng)壓力的超純水，以保證清洗、蝕刻等工藝的順利進行。
