刻蝕機是一種用于在材料表面去除特定圖案的設備，廣泛應用于微電子、光電子等領域。
刻蝕機的主要功能是通過物理或化學反應去除材料表面的特定部分，以形成所需的微納米結構。這些結構在集成電路、傳感器、光學器件等高科技產品的制造中扮演著至關重要的角色。刻蝕機的技術包括反應離子刻蝕（RIE）、感應耦合等離子體刻蝕（ICPE）等多種方法，每種方法都有其特定的應用場景和優(yōu)勢。
反應離子刻蝕（RIE）是在低氣壓下，通過反應氣體在射頻電場作用下產生等離子體，實現(xiàn)離子的物理轟擊濺射和活性粒子的化學反應，從而完成高精度的圖形刻蝕。這種方法具有各向異性好、選擇比高、大面積刻蝕均勻性好等優(yōu)勢，適用于氧化硅、氮化硅等介質材料及聚合物材料（如PI、PDMS）的微納米結構刻蝕。 感應耦合等離子體刻蝕法（ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果，通過暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，形成等離子或離子，通過電場加速時釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。
