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島津氮化硅基板真空燒結(jié)爐PHSgr60/60/14

  • 發(fā)布時間:2024-04-05 10:58:26,加入時間:2023年02月24日(距今909天)
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日本島津氮化硅基板真空加壓燒結(jié)爐PHSgr60/60/140適用于Si₃N₄氮化硅材料從脫氣到加壓燒結(jié)的連續(xù)處理。新能源汽車、高鐵、城市軌道交通、5G 基站等設(shè)備上大功率控制模塊的散熱基板 及汽車、風電等設(shè)備上高精度、高轉(zhuǎn)速陶瓷軸承球的燒結(jié)處理。

用途:Si₃N₄氮化硅基板、Si₃N₄氮化硅軸承球、 Si₃N₄氮化硅結(jié)構(gòu)件

日本島津氮化硅基板真空加壓燒結(jié)爐PHSgr60/60/140技術(shù)規(guī)格

有效尺寸(mm):600*600*1400

處理量(KG):720

額定溫度(℃):2200

真空度(Pa):7x10-1

壓力:0.9MPaG

加熱電力:N2,Ar

島津作為日本真空爐專業(yè)生產(chǎn)代表廠家,在硬質(zhì)合金,合金陶瓷,金屬注射成形的生產(chǎn)和研究開發(fā)市場占有大部分的市場份額。經(jīng)過數(shù)十年培育出的技術(shù)和成熟的生產(chǎn)工藝,系列化生產(chǎn)的真空爐,可以為用戶提供高質(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)。在中國,韓國等海外市場,也已擁有眾多的銷售業(yè)績,并得到客戶的青睞。

由于1MPa的低壓燒結(jié),可以在一定程度上提高產(chǎn)品的抗彎強度和明顯減少偏差,因此部分替代6MPa的低壓爐使用,從而降低生產(chǎn)成本。

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