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CJAC200SN04U低RDS局部放電充器變換器

  • 發(fā)布時(shí)間：2024-07-18 10:38:49,加入時(shí)間:2023年10月26日(距今666天)
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描述 N 通道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用 SGT 技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適用于最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，以及在雪崩和換向模式下抵抗高能脈沖。這些器件非常適合于高效率的快速切換應(yīng)用超低 RDS (上)優(yōu)越的熱阻優(yōu)異的可靠性和均勻性電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 BMS

參數(shù)

排泄源電壓 VDS 40

VGate-Source 電壓 VGS ± 20 V

連續(xù)排泄電流 ID200脈沖排泄電流 IDM600單脈沖雪崩能量 EAS760mJ

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